200nm~1100nm 1.2mm シリコンPINフォトダイオード 低暗電流
[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
200-1100nmのスペクトル範囲。
アクティブ直径1.2x1.2mm。
ハーメチックTO46缶、UVウィンドウまたはレセプタクル付き。
[用途]
光学センサー
光パワーメーター
産業用自動制御
科学分析と実験
空間光検出装置
応答スペクトルテスト
絶対最大定格:
パラメータ |
記号 |
値 |
単位 |
動作温度 |
Top |
-40~+85 |
℃ |
保存温度 |
Tstg |
-40~+100 |
℃ |
順電流 |
If |
10 |
mA |
逆電圧 |
Vr |
20 |
V |
はんだ付け温度(時間) |
Ts(10s) |
260 |
℃ |
電気的および光学的特性:(T = 25℃)
パラメータ |
記号 |
単位 |
典型的な値 |
アクティブ直径 |
Φ |
mm |
1.2*1.2 |
スペクトル範囲 |
λ |
nm |
200-1100 |
応答性 |
Re (VR=0V,λ=200nm ) |
mA/mW |
0.08 |
Re (VR=0V,λ=405nm ) |
mA/mW |
0.28 |
Re (VR=0V,λ=650nm ) |
mA/mW |
0.43 |
Re (VR=0V,λ=905nm ) |
mA/mW |
0.55 |
Re (VR=0V,λ=1064nm ) |
mA/mW |
0.22 |
反応時間 |
Tr (RL=50Ω,VR=5V) |
ns |
8 |
暗電流 |
Id(VR=0V) |
pA |
0.2 |
Id(VR=5V) |
pA |
100 |
逆破壊電圧 |
VBR (IR=10uA) |
V |
40 |
接合容量 |
Cj (f=1MHz, VR=0V) |
pF |
190 |
Cj (f=1MHz, VR=5V) |
pF |
40 |
飽和光パワー |
Ps(VR=5V) |
mW |
15 |
動作電圧 |
VR |
V |
0-15 |
シャント抵抗 |
Rsh (VR=10mV) |
GΩ |
50 |
パッケージ |
Hermetic TO46 Can with UV window or with receptacle or fiber coupling. |
注意:
(1)デフォルトはTO-46缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
(2)ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
(3)納期:我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。