1310nm 1200mW 科学研究のためのIR 半導体レーザーシステム

1310nm 1200mW 科学研究のためのIR 半導体レーザーシステム

[規格]
製品名|Product Name: 1310nm 半導体レーザー
納期|Lead Time: 1~3 週間
波長|Output Wavelength: 1310nm ± 20nm
出力|Output Power: 1200mW
空間様式|Spatial mode: Multi-mode
作動方式|Operating mode: CW or Modulation
分極|Polarization: 10:01
ポインティング安定性|Pointing Stability: <0.05 mrad
ビーム径|Beam Diameter (1/e²): Near 6mm
ビーム発散全角|Beam Divergence (Full Angle): Near 2.5 mrad
ビーム高さ|Beam Height: Near 25mm
ビーム品質|Beam Quality (M²): <2
指し安定性|Pointing Stability: <±3% per 2 hrs
製冷方式|Temperature Stabilizing TEC
予熱時間|Warm-Up time: < 5 minutes
作業温度|Working Temperature: 20~30℃
保管温度|Storage Temperature: 10~50℃
レーザー器寸法|Laser Head Dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H)mm³ (詳しくはこちら！)
レーザー電源|Power Supply: I型分離型電源 / II型可変式電源 (選択)
レーザー電源-1: I型分離型電源 (選択) (詳しくはこちら！)
レーザー電源-2: II型可変式電源 (選択) (詳しくはこちら！)
変調频率|Modulation: 0~30KHz Analog or TTL
使用時間|MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
証期|Warranty: 1 Year

[附属品]
1 x 1310nm レーザーヘッド
1 x レーザー電源