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808nm 5W SE CW COS レーザーチップ 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ 808B-96-5-4-COS 808nm 5W SE(シングルエミッタ) CW LD Chip COS(チップオンサブマウント) 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ... |
4,883円
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808nm 10W SE シングルエミッタ ダイオードレーザー CW COS(Chip On Submount) レーザーチップ 808B-350-10-2.5-COS [特徴] 高いレーザー出力。 高効率。 長寿命、高信頼性。 優れたビーム特性。 [用途] 医療・化粧品 材料加工... |
4,883円
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シングルエミッタ LDチップ COS(Chip On Submount) 808nm 10W CWレーザー 808B-190-10-4-COS Made in China [特徴] 高いレーザー出力。 高効率。 長寿命、高信頼性。 優れたビーム特性。 [用途] 医療・化粧品 材料加工... |
5,195円
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808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー 【商品名】 808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー 【規格】 密封されたサイズ: TO-18 (5.6mm) 働く温度(°c): - 10 ~ +50 出力: CW 200mW 波長: 808nm... |
2,275円 1,170円 割引: 49%OFF
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QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm [特徴] 1.発振波長:808nm(標準) 2.光パワー出力:200mW CW 3.パッケージタイプ:TO-18(5.6mm)... |
3,512円
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QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm [特徴] 808nm 赤外線レーザー。 CWレーザー(連続波)。 マルチトランスバース / TEモードレーザー。 5.6mmパッケージ。 [応用] 固体レーザーポンピング。 医療。... |
1,691円 677円 割引: 60%OFF
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U-LD-80C051Ap 808nm 300mW 赤外線レーザーダイオード Union LD TO-5.6mm パッケージ [特徴] 1.動作電流が少ない 2.高い信頼性 3.低い発散角 4.標準光出力:300mW(CW) 5.... |
3,312円
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【商品名】 808nm 500mWの実験室の半導体レーザーの高い発電 【規格】 生産地:台湾 波長:808nm 輸出パワー:CW 500mW 作動電流:<650mA 作動電圧:2.2V 密封形式:T056(9MM)... |
6,983円
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808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:808nm 出力パワー: 500mW 貯蔵温度:-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~40℃ 動作電圧 : 2V... |
2,745円
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QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用 [仕様] 製品名|Product Name: レーザーダイオード モデル|Model: QL80S4HD-Y 波長|Wavelength: 808nm 出力パワー|Output Power:... |
3,252円
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