808nm レーザーダイオード

 



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808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー

808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー

808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー 【商品名】 808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー     【規格】 密封されたサイズ: TO-18 (5.6mm) 働く温度(°c): - 10 ~ +50 出力: CW 200mW 波長: 808nm...
2068円  1064円
割引: 49%OFF


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QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm

QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm

QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm [特徴] 1.発振波長:808nm(標準) 2.光パワー出力:200mW CW 3.パッケージタイプ:TO-18(5.6mm)...
3193円

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QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm

QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm

QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm [特徴] 808nm 赤外線レーザー。 CWレーザー(連続波)。 マルチトランスバース / TEモードレーザー。 5.6mmパッケージ。 [応用] 固体レーザーポンピング。 医療。...
1537円  615円
割引: 60%OFF


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808nm 500mWの実験室の半導体レーザー

808nm 500mWの実験室の半導体レーザー

【商品名】 808nm 500mWの実験室の半導体レーザーの高い発電     【規格】 生産地:台湾 波長:808nm 輸出パワー:CW 500mW 作動電流:<650mA 作動電圧:2.2V 密封形式:T056(9MM)...
6348円

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808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD

808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD

808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:808nm  出力パワー: 500mW 貯蔵温度:-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~40℃ 動作電圧 : 2V...
2495円

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QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用

QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用

QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用 [仕様] 製品名|Product Name: レーザーダイオード モデル|Model: QL80S4HD-Y 波長|Wavelength: 808nm 出力パワー|Output Power:...
2956円

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1000MW 808NM レーザーダイオード /半導体レーザー

1000MW 808NM レーザーダイオード /半導体レーザー

近赤外レーザダイオード 808nm 1w 1000mw 9mm TO-5  PD(無) 【規格】 波長: 808nm+/-5nm 出力: CW 1000mW 密封されたサイズ: TO-5 (9mm) 定額電圧: <2V 定額電流:...
5853円

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808nm 1000mw/1W C-Mount 高出力 赤外線 レーザーダイオード

808nm 1000mw/1W C-Mount 高出力 赤外線 レーザーダイオード

808nm 1000mw/1W C-Mount 高出力 赤外線 レーザーダイオード    【規格】 商品名: 赤外線 レーザーダイオード  生産地: 台湾 発振波長[λp]: 808nm 光出力[Po]: CW 1000mW パルス出力:...
5853円

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QSI 808nm 1000mW レーザーモジュールダイオード QL80T4HD-Y 高出力 IR LD TO-5 9mm

QSI 808nm 1000mW レーザーモジュールダイオード QL80T4HD-Y 高出力 IR LD TO-5 9mm

QSI 808nm 1000mW レーザーモジュールダイオード QL80T4HD-Y 高出力 IR LD TO-5 9mm QL80T4HD-Y is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure....
4257円

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U-LD-80J051Ap/Dp 808nm 1000mW 高出力 NIR レーザーダイオード Φ9mm パッケージ

U-LD-80J051Ap/Dp 808nm 1000mW 高出力 NIR レーザーダイオード Φ9mm パッケージ

U-LD-80J051Ap/Dp 808nm 1000mW 高出力 NIR レーザーダイオード Φ9mm パッケージ [特徴] 1.動作電流が少ない。 2.高い信頼性。 3.低い発散角。 4.標準光出力:1W(CW) 5....
2999円

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