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品名- |
価格 |
.jpg "三洋 808nm 150mW IR レーザーダイオード DL-8141-035 TO18 Φ5.6mm パッケージ LD") |
三洋 808nm 150mW IR レーザーダイオード DL-8141-035 TO18 Φ5.6mm パッケージ LD [特徴] 発振波長 : 808 nm (Typ.) 単一縦モード 高出力 : 150 mW (50°C) 低しきい値電流: lth = 40 mA (標準)... |
19,005円
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.jpg "808nm 5W SE CW COS レーザーチップ 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ 808B-96-5-4-COS") |
808nm 5W SE CW COS レーザーチップ 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ 808B-96-5-4-COS 808nm 5W SE(シングルエミッタ) CW LD Chip COS(チップオンサブマウント) 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ... |
5,274円
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最小: 30
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808nm 10W SE シングルエミッタ ダイオードレーザー CW COS(Chip On Submount) レーザーチップ 808B-350-10-2.5-COS [特徴] 高いレーザー出力。 高効率。 長寿命、高信頼性。 優れたビーム特性。 [用途] 医療・化粧品 材料加工... |
5,274円
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最小: 30
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シングルエミッタ LDチップ COS(Chip On Submount) 808nm 10W CWレーザー 808B-190-10-4-COS Made in China [特徴] 高いレーザー出力。 高効率。 長寿命、高信頼性。 優れたビーム特性。 [用途] 医療・化粧品 材料加工... |
5,611円
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最小: 30
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808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー 【商品名】 808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー 【規格】 密封されたサイズ: TO-18 (5.6mm) 働く温度(°c): - 10 ~ +50 出力: CW 200mW 波長: 808nm... |
2,457円 1,264円
割引: 49%OFF
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最小: 5
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.jpg "QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm") |
QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm [特徴] 1.発振波長：808nm（標準） 2.光パワー出力：200mW CW 3.パッケージタイプ：TO-18（5.6mm）... |
3,793円
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最小: 5
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.jpg "QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm") |
QL80R4SX-S 808nm 300mW 赤外線 レーザーダイオード QSI IR LD TO-18 5.6mm [特徴] 808nm 赤外線レーザー。 CWレーザー（連続波）。 マルチトランスバース / TEモードレーザー。 5.6mmパッケージ。 [応用] 固体レーザーポンピング。 医療。... |
1,826円 731円
割引: 60%OFF
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最小: 10
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.jpg "U-LD-80C051Ap 808nm 300mW 赤外線レーザーダイオード Union LD TO-5.6mm パッケージ") |
U-LD-80C051Ap 808nm 300mW 赤外線レーザーダイオード Union LD TO-5.6mm パッケージ [特徴] 1.動作電流が少ない 2.高い信頼性 3.低い発散角 4.標準光出力：300mW（CW） 5.... |
3,577円
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最小: 3
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【商品名】 808nm 500mWの実験室の半導体レーザーの高い発電 【規格】 生産地：台湾 波長：808nm 輸出パワー：CW 500mW 作動電流：＜650mA 作動電圧：2.2V 密封形式：T056（9MM）... |
7,542円
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.jpg "808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD") |
808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:808nm 出力パワー: 500mW 貯蔵温度：-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~40℃ 動作電圧 : 2V... |
2,965円
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最小: 2
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