5mw 1310nm LDの半導体レーザー

14300円

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【商品名】
5mw 1310nm LDの半導体レーザー
 
 
【規格】
波長1310nmのInGaAsP/InP MQW-FPレーザーダイオード(LD)を使用し,該工業で有名な会社で制作され、外部に冷却装置、低閾値電流を取付必要です。
操作温度: -20℃--70℃
InGaAs monitor PIN レーザーダイオード(PD)の使用
ビックテール或はコンセントモジュールがFC/ STの利用  
応用範囲:
SONET OC-3/OC-12
SDH STM-1/STM-4
 CATV
Fiber-optic sensing






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