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近赤外レーザダイオード 808nm 1w 1000mw 9mm TO-5
PD(無)
【規格】 波長: 808nm+/-5nm 出力: CW 1000mW 密封されたサイズ: TO-5 (9mm) 定額電圧: <2V 定額電流: I<1.15A
808nm 1000mw/1W C-Mount 高出力 赤外線 レーザーダイオード7,739円
1000MW 808NM レーザーダイオード /半導体レーザー7,739円
808nm 500mW赤外レーザダイオード TO 18 5.6mm 帯PD3,300円
808nm 10W 350μm 発光幅 2.5mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 808B-350-10-2.5-SE2,611円
808B-150-3-1-TO9 808nm 3W IR レーザーダイオード 150μm エミッタ幅 1mm キャビティ長 TO9 パッケージ5,440円
808nm 2W 3W 5W 高出力 赤外線 レーザーダイオード C-mount パッケージ15,479円
U-LD-80C051Ap 808nm 300mW 赤外線レーザーダイオード Union LD TO-5.6mm パッケージ3,981円
QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm4,222円
808nm 10W 190μm 発光幅 4mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 880B-190-10-4-SE2,828円
QSI 808nm 1000mW レーザーモジュールダイオード QL80T4HD-Y 高出力 IR LD TO-5 9mm5,630円
808A-72-300-34-1.5-BAR 808nm 300W 高出力 IR ダイオードレーザー バー 34 エミッター ベアチップ25,459円
808nm 5W 190μm 発光幅 1.5mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 808B-190-5-1.5-SE1,305円
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