808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー

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808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー

【商品名】

808nm 200mWの高い発電の半導体レーザー

 

 

【規格】

密封されたサイズ: TO-18 (5.6mm)

働く温度(°c): - 10 ~ +50

出力: CW 200mW

波長: 808nm

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings(Tc=25)

 

Parameter

Symbols

Ratings

Units

Optical Output

Po

200

mW

Reverse Voltage

Vr

2

V

Storage Temperature

Tstg

085

 

 

Electrical and Optical Characteristics(Tc=25)

 

Parameter

Symbols

Conditions

Min

Typ

Max

Units

Threshold Current

Ith

-

-

70

80

mA

Operating Current

Iop

Po=200mw

-

270

280

mA

Operating Voltage

Vop

-

-

1.9

2.3

Volts

Slope Efficiency

η

150mw-50mw

-

1

-

mW/mA

I150mw-I50mw

Beam Divergence

(FWHM)

θ

Po=200mw

-

12

-

deg

θ

Po=200mw

-

40

-

deg

Parallel deviation angle

θ

Po=200mw

-

-

±3

deg

Prependicular deviation angle

θ

Po=200mw

-

-

±3

deg

Lasing Wavelength

 

 


 

 

 







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