14-pin DFB レーザーダイオード 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ

ベース価格: 52850円

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14-pin DFB レーザーダイオード 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ

SWLDシリーズレーザーダイオードは、密閉型14ピンバタフライパッケージで製造された1260nm〜1650nmの広い波長のお客様の選択をカバーします。レーザーダイオードには熱電冷却器(TEC)、サーミスタ、モニターフォトダイオード、高品質レーザー パフォーマンス。 また、SMファイバ、PMファイバ、その他の特殊ファイバの出力パワー、パッケージタイプ、出力ファイバの完全な顧客選択も可能です。 当社のレーザ製品はTelcordia GR-468とRoHS指令に準拠しています。

[特徴]
1. 高出力電力(10~100mW)
2. 高性能、多重量子井戸(MQW)分布帰還型(DFB)レーザー
3. 業界標準の14ピンバタフライパッケージ
4. 内蔵TECおよび光アイソレータ
5. 1260nmから1650nmまで利用可能なITU波長
6. 波長の顧客選択

[適用分野]
1. LAN、WANおよびメトロネットワーク
2. C / DWDMシステム
3. 光ファイバセンサ
4. レーザー源
5. CATVシステム

[仕様] 

パラメータ シンボル 試験条件 最小 標準値 最大 単位
中心波長 λc TL=15~35℃ CW 1549.92 1550.12 1550.32 nm
ピーク光出力 PO   10     mW
光アイソレーション   -10 < TC < +70 oC 30     dB
スペクトル線幅 LW 全幅、半値全幅(FWHM)   2   MHz
帯域幅(@-3dB) BW     2.5   GHz
サイドモード抑圧比 SMSR CW 35 40   dB
偏光消光比 ER   20     dB
波長ドリフト (EOL) △λ 25年の生涯にわたって試験     ±0.1 nm
波長温度係数 Δλ/ΔT TEC 温度15℃-35℃   0.09   nm/°C
波長電流係数 Δλ/ΔT TEC温度15℃〜35℃   0.01   nm/mA

電気的特性(25℃のレーザー温度で)

パラメータ シンボル 試験条件 最小 標準値 最大 単位
スレッショルド電流 ITH     10 35 mA
スロープ効率   CW出力5mW 0.005 0.08 0.2 mW/mA
動作電流 Iop PO= 10 mW (CW)   100 200 mA
TEC設定温度 Ts   15   35
レーザー順電圧 VF CW出力10mW   1.2 2.0 V
暗電流の監視 ID       0.1 μA
入力インピーダンス ZIN   22 25 28 Ω
サーミスタ電流 ITC   10   100 μA
サーミスタ抵抗 RTH TL = 25 °C 9.5 10 10.5
TEC電流 ITEC TL = 25 °C, TC = 70 °C     1.5 A
TEC電圧 VTEC TL = 25 °C, TC = 70 °C     3.0 V
TEC能力 ΔT Tc = 70℃     50 °C
サーミスタ温度         100 °C

ファイバーピグテールの仕様

パラメータ 説明
ファイバータイプ PMファイバ
ジャケットタイプ 900μmルーズチューブ
ピグテールの長さ 1.0±0.1m
コネクタタイプ FC/APC
PMファイバコネクタの向き 下の図をご覧ください

 

バタフライ半導体レーザ

バタフライ半導体レーザ
 






 
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