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730nm 2000mW IR 半導体レーザーラボ用レーザーシステム

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730nm 2000mW IR 半導体レーザーラボ用レーザーシステム

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730nm 2000mW IR 半導体レーザーラボ用レーザーシステム

[特長]
1.高出力安定性(<3%)
2.体積が小さく,便利にインストール

[規格]
製品名|Product Name: 730nm 赤外線レーザー
納期|Lead Time: 1〜3週間。カスタム商品あり！
波長|Wavelength:730nm±5nm
出力電力|Output Power:1-2000mW
スペクトル線幅|Spectral Linewidth：<2nm
ビームサイズ|Beam Size: Near 5*5mm
ビーム発散角|Beam Divergence Angle: <6 mrad
光点円度|Spot Roundness:>90%
レーザー寸法|Laser Dimension: Near 140(L)x49(W)x42(H)mm
作業温度|Operating Temperature: 0°C-40°C
貯蔵温度|Storage Temperature: -40°C-85°C
変調|Modulation: 0~10KHz TTL
保証期間|Warranty：1年間

パラメータ	作業条件	記号	最小の	標準値	最大	単位
出力パワー	APC	PO		2000		mW
出力安定性	2hrs	Ps			3	%
中心波長	@PO	λc		730		nm
スペクトル線幅	@P_O	FWHM		2		nm
ビーム直径	1/e2 完全な角	D		5*5		mm
ビーム発散角		Div		6		mrad
光点安定性	25°C				0.05	mrad
予熱時間	@P_O	Tw			5	分
騒音	RMS(10Hz-100MHz)	N		1		%
使用寿命	@PO	MTBF	10000			時間

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