800-1700nm 2.5G InGaAs アバランシェダイオード光検出器 APD 2G FC SMF ピグテール PD モジュール
このシリーズは、光ネットワーク監視とデジタルまたはアナログ通信受信機アプリケーションの両方向けに設計された平面構造の InGaAs PIN フォトダイオードと FC/APC ピグテールコネクタです。このシリーズは、漏れが非常に少ない密閉型同軸デバイスです。優れたアライメントおよび硬化技術を使用することで、同軸デバイスの高性能、高信頼性、長寿命が保証されます。
[特徴]
n+ InP 基板上の平面構造の InGaAs ダイオード。
低容量、暗電流、最大 4G/bps の速度。
高応答性、低光反射。
高信頼性、長寿命。
FC/APC コネクタと SMF ピグテールが標準で、顧客指定も可能です。
[用途]
短距離デジタルおよびアナログ光通信ネットワーク。
光パワー監視およびファイバー センシング。
絶対最大定格:
絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに過度のストレスによる損傷を引き起こす可能性があります。これらは絶対ストレス定格のみです。これらの条件、またはデータシートの動作セクションに記載されている条件を超えるその他の条件では、デバイスの機能的な動作は保証されません。長期間にわたって絶対最大定格にさらされると、デバイスの信頼性に悪影響を与える可能性があります。
| パラメータ |
シンボル |
最小値 |
最大値 |
単位 |
条件 |
| 動作温度 |
Top |
-40 |
+85 |
℃ |
|
| 保管温度 |
Tstg |
-40 |
+85 |
℃ |
|
| 順方向電圧 |
Vf |
|
20 |
V |
|
| 入力光パワー |
Pi |
|
+10 |
dBm |
Peak, λ=1310nm |
| はんだ付け温度 |
Ts |
|
260 |
℃ |
10s |
| ESD handle |
V |
500 |
|
|
HBM |
電気的および光学的特性:(T=25℃)
| パラメータ |
記号 |
最小値 |
典型的な値 |
最大値 |
単位 |
条件 |
| 有効直径 |
D |
|
45 |
|
μm |
|
| 帯域幅 |
BW |
|
2 |
|
GHz |
R=50Ω, Pi=10dBm, Vr=5V |
| 波長 |
λ |
910 |
1310/1550 |
1650 |
nm |
|
| 応答性 |
Re |
0.80 |
|
|
A/W |
Vr=5, λ=1310nm |
| 応答性 |
Re |
0.90 |
|
|
A/W |
Vr=5, λ=1550nm |
| 暗電流 |
Id |
|
|
3 |
nA |
Vr=5 |
| 動作電圧 |
V |
3.0 |
5.0 |
10 |
V |
|
| キャパシタンス |
C |
|
|
0.6 |
pF |
Vr=5, f=1MHZ |
| リターンロス |
RL |
|
50 |
|
dB |
1310nm |
| ファイバー＆コネクタ |
Fiber: 9/125um SMF, Φ900um, L=1m; Connector: FC/APC |
取り扱い上の注意:
静電気による損傷 (ESD) を防ぐため、このデバイスは通常の半導体デバイスと同様に取り扱う必要があります。保管および持ち運びの際は、このデバイスを ESD 耐性のある材料で梱包する必要があります。デバイスを機器に組み立てる際は、人体および人体を接地する必要があります。
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