808B-150-3-1-TO9 808nm 3W IR レーザーダイオード 150μm エミッタ幅 1mm キャビティ長 TO9 パッケージ
[特徴]
ピーク波長: 808nm
出力: 3W
[用途]
医療・美容
レーザーセンサー
科学研究テスト
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
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標準値
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最大値
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単位
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ピーク波長
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λ
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808
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nm
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スペクトル帯域幅
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BW
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3
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nm
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波長温度係数
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Δλ/ΔT
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0.25
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nm/℃
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電気光学データ|Electro Optical Data
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動作パワー
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Pop
|
|
3
|
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W
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動作電流
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Iop
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2.3
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2.6
|
2.9
|
A
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しきい電流
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Ith
|
|
0.5
|
|
A
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動作電圧
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Vop
|
|
2.3
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|
V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop -Ith)
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1.4
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W/A
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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50
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%
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ビーム発散角幅（水平） ①
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θ∥
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8
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12
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degrees
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ビーム発散角幅（垂直）②
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θ⊥
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30
|
40
|
degrees
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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150
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μm
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キャビティの長さ
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L
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|
1000
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|
μm
|
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チップ幅
|
W
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|
500
|
|
μm
|
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チップ高さ
|
H
|
|
150
|
|
μm
|
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Notes:
① レーザーが最大定格を超えて動作した場合、寿命は保証されません。
② Full width at 95% power content.
③ FWHM (Full width half maximum).
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