880B-190-15-4-SE 880nm 15W レーザーチップ 190μm 発光幅 4mm キャビティ長 シングルエミッター
[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。
[用途]
レーザーディスプレイ
レーザー照明
医療および化粧品
科学研究
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
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標準値
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最大値
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単位
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動作|Operation①
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中心波長@Iop
|
λ
|
875
|
878
|
881
|
nm
|
|
中心波長@I=2A
|
λ
|
870
|
873
|
876
|
nm
|
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出力パワー
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Po
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14
|
15
|
|
W
|
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動作モード
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CW
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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190
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μm
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キャビティの長さ
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L
|
|
4000
|
|
μm
|
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チップ幅
|
W
|
|
500
|
|
μm
|
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チップ高さ
|
H
|
|
150
|
|
μm
|
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電気光学データ|Electro Optical Data①
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しきい電流
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Ith
|
|
1.5
|
1.8
|
A
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動作電流
|
Iop
|
|
15
|
|
A
|
|
動作電圧
|
Vop
|
|
1.7
|
1.9
|
V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop - Ith）
|
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1.1
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W/A
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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54
|
58
|
|
%
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遅い軸発散 ②
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θ∥
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8.5
|
10
|
degrees
|
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高速軸発散 ②
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θ⊥
|
|
35
|
40
|
degrees
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スペクトル帯域幅 ③
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△λ
|
|
3
|
4
|
nm
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波長温度係数
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Δλ/ΔT
|
|
0.25
|
|
nm/℃
|
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偏光
|
|
|
TE
|
|
|
|
偏光度
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DOP=PTE/(PTE+PTM)
|
95
|
98
|
|
%
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前面の反射率
|
Rff
|
|
1.5
|
|
%
|
|
バーンインテスト|Burn-in test
|
|
バーンイン電流
|
IBI
|
|
15
|
|
A
|
|
バーンイン温度
|
TBI
|
|
40
|
|
℃
|
|
バーンイン時間
|
Hr
|
|
48
|
|
Hour
|
|
パワーバリエーション
|
|
|
|
5
|
%
|
|
注意:
①. Rth =2~3 K/Wのヒートシンクに搭載、冷却液温度25℃、通常電力で動作。
②. 電力含有量95%での全幅。
③. FWHM(全幅半値幅)。
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