808nm 10W 190μm 発光幅 4mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 880B-190-10-4-SE
[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。
[用途]
レーザーディスプレイ
レーザー照明
医療および化粧品
科学研究
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
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標準値
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最大値
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単位
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動作|Operation①
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中心波長
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λ
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803
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808
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811
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nm
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出力パワー
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Po
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10
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W
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動作モード
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CW
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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190
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μm
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キャビティの長さ
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L
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4000
|
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μm
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チップ幅
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W
|
|
500
|
|
μm
|
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チップ高さ
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H
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140
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150
|
160
|
μm
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電気光学データ|Electro Optical Data
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しきい電流
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Ith
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1.25
|
1.45
|
A
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動作電流
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Iop
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9
|
9.5 |
A
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動作電圧
|
Vop
|
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1.75
|
1.85
|
V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop - Ith）
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1.2
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1.33
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W/A
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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60
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66
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%
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ビーム発散角幅（水平）①
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θ∥
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8
|
10
|
degrees
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ビーム発散角幅（垂直） ②
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θ⊥
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36
|
40
|
degrees
|
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スペクトル帯域幅①
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△λ
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2
|
3
|
nm
|
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偏光
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TM
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波長温度係数
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Δλ/ΔT
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0.26
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nm/℃
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注意:
①. 95% 電力含有量での全幅
②. FWHM (全幅半値幅)。
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