808nm 5W 190μm 発光幅 1.5mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 808B-190-5-1.5-SE
[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。
[用途]
レーザーディスプレイ
レーザー照明
医療および化粧品
科学研究
注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製
[仕様]
|
パラメーター
|
シンボル
|
最小値
|
標準値①
|
最大値
|
単位
|
|
動作|Operation
|
|
中心波長
|
λ
|
803
|
808
|
811
|
nm
|
|
出力パワー
|
Po
|
|
5
|
|
W
|
|
動作モード
|
|
|
CW
|
|
|
|
絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings③
|
|
動作温度
|
To
|
-10
|
25
|
50
|
℃
|
|
チップサイズ|Chip Size
|
|
エミッタ幅
|
w
|
|
190
|
|
μm
|
|
キャビティの長さ
|
L
|
|
1500
|
|
μm
|
|
チップ幅
|
W
|
|
400
|
|
μm
|
|
チップ高さ
|
H
|
|
150
|
|
μm
|
|
電気光学データ|Electro Optical Data
|
|
しきい電流
|
Ith
|
|
1.2
|
|
A
|
|
動作電流
|
Iop
|
|
5
|
|
A
|
|
動作電圧
|
Vop
|
|
1.8
|
|
V
|
|
スロープ効率
|
ηd=Po/(Iop - Ith)
|
|
1.3
|
|
W/A
|
|
総変換効率
|
η=Po/(Iop x Vop)
|
|
55
|
|
%
|
|
遅軸発散角②
|
θ∥
|
|
10
|
|
degrees
|
|
速軸発散角③
|
θ⊥
|
|
40
|
|
degrees
|
|
スペクトル幅②
|
△λ
|
|
3
|
|
nm
|
|
偏光
|
|
|
TE/TM
|
|
|
|
シリーズ抵抗
|
Rs
|
|
0.03
|
|
Ω
|
|
注意:
①. 室温、動作電力で測定。
②. 95 % の電力含有量での全幅。
③. FWHM (全幅の半分の最大値)。
|