790nm 10W 190μm 発光幅 4mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ 790B-190-10-4-SE
[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。
[用途]
レーザーディスプレイ
レーザー照明
医療および化粧品
科学研究
注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
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典型的な①②
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最大値
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単位
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動作|Operation
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中心波長
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λ
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797
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790
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793
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nm
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出力パワー
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Po
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10
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W
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動作モード
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CW
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絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings③
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動作温度
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To
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-10
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25
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50
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℃
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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190
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μm
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キャビティの長さ
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L
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4000
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μm
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チップ幅
|
W
|
|
500
|
|
μm
|
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チップ高さ
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H
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140
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150
|
160
|
μm
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電気光学データ|Electro Optical Data
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しきい電流
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Ith
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1.3
|
1.5
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A
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動作電流
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Iop
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9.25
|
9.5 |
A
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動作電圧
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Vop
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1.75
|
1.85
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V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop - Ith)
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1.1
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1.3
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W/A
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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60
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65
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%
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遅軸発散角④
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θ∥
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8
|
10
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degrees
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速軸発散角⑤
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θ⊥
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35
|
40
|
degrees
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スペクトル幅⑤
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△λ
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2
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3
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nm
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偏光
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TE
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波長の温度ドリフト係数
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0.17
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nm/℃
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注意:
①. ヒートシンクに取り付け、冷却液温度は 25℃。
②. 中心波長は 25℃ CW2A で測定。
③. 電力含有量 95% での全幅。
④. FWHM (全幅半値幅)。
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