638A-110-1-1.5-SE 638nm 1W 110μm 発光幅 1.5mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ

2,856円

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最小:  20

638A-110-1-1.5-SE 638nm 1W 110μm 発光幅 1.5mm キャビティ長 シングルエミッター レーザーチップ

[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。

[用途]
レーザーディスプレイ
レーザー照明
レーザーインジケーター
医療および化粧品
科学研究

注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製

[仕様]

パラメーター

シンボル

最小値

典型的な①②

最大値

単位

中心波長

λ

 

638

 

nm

出力パワー

Po

0.9

1

 

W

動作モード

 

 

CW

 

 

絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings

動作温度

To

-10

25

50

チップサイズ|Chip Size

エミッタ幅

w

 

110

 

μm

キャビティの長さ

L

 

1500

 

μm

チップ幅

W

 

300

 

μm

チップ高さ

H

 

150

 

μm

電気光学データ|Electro Optical Data

しきい電流

Ith

 

0.5

0.6

A

動作電流

Iop

 

1.5

1.6

A

動作電圧

Vop

 

2.1

2.3

V

スロープ効率

ηd=Po/(Iop - Ith)

0.9

1

 

mW/mA

総変換効率

η=Po/(Iop x Vop)

30

32

 

%

遅軸発散角④

θ∥

5

8

11

degrees

速軸発散角⑤

θ⊥

32

37

42

degrees

スペクトル幅⑤

△λ

 

1

 

nm

偏光

 

 

TM

 

 

波長の温度ドリフト係数

 

 

0.18

 

nm/℃

①. 上記の表のテストデータの標準値は、CivilLasers のテストシステムに従って取得されています。
②. 単管チップのテストデータから取得。単管チップをテストする場合、COS (Chip On Submount) にパッケージ化され、COS テスト温度は 25°C です。
③. チップは最大値を超えて使用した場合、寿命を保証するものではありません。標準値を除き、その他の使用条件ではチップの寿命は保証されません。
④. 95% の電力含有量で全幅。
⑤. FWHM (Full width half maximum)。

 

 
638nm レーザーチップ

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