638nm 500mW 半導体レーザーチップ 55μm 発光幅 1.2mm キャビティ長 シングルエミッター 638A-55-0.5-1.2-SE
[特徴]
高レーザー出力
高効率。
優れたビーム特性。
長寿命、高信頼性。
[用途]
レーザーディスプレイ/プロジェクション
レーザー照明
医療・化粧品
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
|
典型的な①②
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最大値
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単位
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中心波長
|
λ
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633
|
638
|
643
|
nm
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出力パワー
|
Po
|
|
500
|
|
mW
|
|
動作モード
|
|
|
CW
|
|
|
|
絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings③
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動作温度
|
To
|
-10
|
25
|
50
|
℃
|
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
|
|
55
|
|
μm
|
|
キャビティの長さ
|
L
|
|
1200
|
|
μm
|
|
チップ幅
|
W
|
|
250
|
|
μm
|
|
チップ高さ
|
H
|
|
150
|
|
μm
|
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電気光学データ|Electro Optical Data
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|
しきい電流
|
Ith
|
|
240
|
|
mA
|
|
動作電流
|
Iop
|
600
|
700
|
800
|
mA
|
|
動作電圧
|
Vop
|
|
2.2
|
|
V
|
|
スロープ効率
|
ηd=Po/(Iop - Ith）
|
|
1.1
|
|
mW/mA
|
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
|
24
|
31
|
|
%
|
|
遅軸発散角④
|
θ∥
|
3
|
8
|
13
|
degrees
|
|
速軸発散角⑤
|
θ⊥
|
35
|
40
|
45
|
degrees
|
|
スペクトル幅⑤
|
△λ
|
|
1
|
|
nm
|
|
偏光
|
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|
TM
|
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|
|
波長の温度ドリフト係数
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|
|
0.18
|
|
nm/℃
|
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①. 上記の表のテストデータの標準値は、CivilLasers のテストシステムに従って取得されています。
②. 単管チップのテストデータから取得。単管チップをテストする場合、COS (Chip On Submount) にパッケージ化され、COS テスト温度は 25°C です。
③. チップは、最大値を超えて使用した場合、耐用年数を保証しません。
④. エネルギーの 95% をカバーします。
⑤. FWHM (Full width half maximum)。
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