638nm 2.1W CW シングルエミッター COS レーザーチップ 638A-75*2-2.1-1.5-COS Made in China

パラメーター

シンボル

最小値

典型的な①②

最大値

単位

動作|Operation

中心波長

λ

633

638

643

nm

出力パワー

Po

2.1

W

動作モード

CW

絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings③

動作温度

To

-10

25

50

℃

チップサイズ|Chip Size

エミッタ幅

w

75*2

μm

キャビティの長さ

L

1500

μm

チップ幅

W

400

μm

チップ高さ

H

150

μm

電気光学データ|Electro Optical Data

しきい電流

Ith

0.7

0.8

A

動作電流

Iop

2.5

2.7

2.9

A

動作電圧

Vop

2.2

2.4

V

スロープ効率

ηd=Po/(Iop - Ith）

1.1

W/A

総変換効率

η=Po/(Iop x Vop)

32

35

%

遅軸発散角④

θ∥

3

8

13

degrees

速軸発散角⑤

θ⊥

35

40

45

degrees

スペクトル幅⑤

△λ

1

nm

偏光

TM

波長の温度ドリフト係数

0.18

nm/℃

注意:
①. 上記の表では、CivilLasers のテストシステムに従って得られたテストデータの代表的な値を示しています。
②. 単管チップ試験データによると。 単管チップを試験する場合、COS (Chip On Submount) でパッケージ化され、COS 試験温度は 25°C です。
③. 使用条件が制限値を超える場合は、チップを使用しないでください。 同時に、代表値を除き、その他の使用条件はチップの寿命を保証するものではありません。
④. エネルギーの95%をカバーしています。
⑤. FWHM (半値全幅)。