IR レーザー光源 808nm 1~150mW 半導体レーザー ラボレーザーシステム
[特徴]
TEC温度制御、空冷
[応用]
蛍光分光、光検出、細胞解析など
注意：
納期：約2～4週間。
[仕様]
| パラメータ*1 |
勤務条件 |
シンボル |
最小値 |
典型的な値 |
最大値 |
単位 |
| 光学パラメータ |
| 出力パワー (CW) |
@PO |
PO |
|
150 |
|
mW |
| 電力安定性(RMS) |
2hrs |
Ps |
|
|
3 |
% |
| 中心波長 |
@PO |
λc |
803 |
808 |
813 |
nm |
| スペクトル線幅 (FWHM) |
@PO |
Δλ |
|
1 |
2 |
nm |
| スポットサイズ |
@PO |
D; |
|
1*2.5 |
|
nm |
| スポット発散角 |
@PO |
Div |
|
1 |
|
mrad |
| 予熱時間 |
@PO |
Tw |
|
|
5 |
min |
| ノイズ |
RMS(10Hz-100MHz) |
N |
|
|
1 |
% |
| 電気パラメータ インデックス |
| 動作電圧 |
@PO |
Vin |
90 |
220 |
245 |
V |
| TTL変調周波数 |
|
|
|
10 |
|
KHz |
| 電気パラメータ インデックス |
| サービス寿命*³ |
@PO/室温 |
MTTF |
10,000 |
|
|
Hrs |
| 動作温度 |
|
Tstg |
0 |
|
40 |
℃ |
| 保管温度 |
|
Topr |
-20 |
|
65 |
℃ |
| 注意 |
*1: 動作温度 25°C でのテストデータ。
*²: 標準構成は TTL 変調で、アナログ変調 (0 ～ 1KHz) に置き換えることができます。;
*³: 寿命とは、レーザーダイオードの寿命です。 |
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