シングルエミッタ LDチップ COS 808nm 10W CWレーザー 808B-190-10-4-COS Made in China

5,611円

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シングルエミッタ LDチップ COS(Chip On Submount) 808nm 10W CWレーザー 808B-190-10-4-COS Made in China

[特徴]
高いレーザー出力。
高効率。
長寿命、高信頼性。
優れたビーム特性。

[用途]
医療・化粧品
材料加工
固体レーザーの励起
科学研究

注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製

[仕様]

パラメーター

シンボル

最小値

典型的な

最大値

単位

操作|Operation①

中心波長②

λ

805

808

811

nm

出力パワー

Po

9.8

10.5

 

W

動作モード

 

 

CW

 

 

チップサイズ|Chip Size

エミッタ幅

w

 

190

 

μm

キャビティの長さ

L

 

4000

 

μm

チップ幅

W

 

500

 

μm

チップ高さ

H

 

150

 

μm

電気光学データ|Electro Optical Data

しきい電流

Ith

 

 

1.8

A

動作電流

Iop

 

10

 

A

動作電圧

Vop

 

 

1.9

V

スロープ効率

ηd=Po/(Iop - Ith)

1.1

 

 

W/A

総変換効率

η=Po/(Iop x Vop)

51

 

 

%

遅軸発散角③

θ∥

 

8

10

degrees

速軸発散角④

θ⊥

 

35

40

degrees

スペクトル幅④

△λ

 

3

4

nm

偏波モード

 

 

TM

 

 

①. Rth =2~3 K/W、冷却水温度 25℃、公称電力で動作するヒートシンクに取り付け。
②. 中心波長はIop、冷媒温度は25℃である。
③. 95%のパワー含有量での全幅。
④. FWHM(半値全幅)。

 

 
COS レーザーチップ

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COS レーザーチップ

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