808nm 10W SE シングルエミッタ ダイオードレーザー CW COS(Chip On Submount) レーザーチップ 808B-350-10-2.5-COS
[特徴]
高いレーザー出力。
高効率。
長寿命、高信頼性。
優れたビーム特性。
[用途]
医療・化粧品
材料加工
固体レーザーの励起
科学研究
注意：
1. 納期：一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国：中国製
[仕様]
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パラメーター
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シンボル
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最小値
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典型的な
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最大値
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単位
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操作|Operation①
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中心波長
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λ
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798
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808
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818
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nm
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出力パワー
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Po
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9.5
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10.5
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W
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動作モード
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CW
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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350
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μm
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キャビティの長さ
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L
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2500
|
|
μm
|
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チップ幅
|
W
|
|
500
|
|
μm
|
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チップ高さ
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H
|
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150
|
|
μm
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電気光学データ|Electro Optical Data
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しきい電流
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Ith
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1.8
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2.1
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A
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動作電流
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Iop
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|
10
|
|
A
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動作電圧
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Vop
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1.75
|
2.0
|
V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop - Ith）
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1.1
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1.3
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W/A
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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50
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60
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%
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遅軸発散角②
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θ∥
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8
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13
|
degrees
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速軸発散角③
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θ⊥
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36
|
45
|
degrees
|
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スペクトル幅③
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△λ
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2
|
4
|
nm
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偏波モード
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TM
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波長の温度ドリフト係数
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|
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0.25
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nm/℃
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バーンインテスト|Burn-in test
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バーンイン電流
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IBI
|
|
12
|
|
A
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|
バーンイン温度
|
TBI
|
|
40
|
|
℃
|
|
バーンイン時間
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IBI
|
|
48
|
|
Hour
|
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パワーの変動
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△Po
|
|
|
5
|
%
|
|
①. Rth =2~3 K/W、冷却水温度 25℃、公称電力で動作するヒートシンクに取り付け。
②. 95%のパワー含有量での全幅。
③. FWHM(半値全幅)。
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