638nm 500mW CW レーザーチップ 638A-55-0.5-1.2-TO-A1 55μm エミッタ幅55μm TO56 パッケージ

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638nm 500mW CW レーザーチップ 638A-55-0.5-1.2-TO-A1 55μm エミッタ幅55μm TO56 パッケージ

[特徴]
高効率。
長寿命、高信頼性。
優れたビーム特性。

注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製

[仕様]

パラメーター

シンボル

最小値

典型的な①②

最大値

単位

Operation

中心波長

λ

633

638

643

nm

出力パワー

Po

 

500

 

mW

動作モード

 

 

CW

 

 

絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings

動作温度

To

-10

25

50

チップサイズ|Chip Size

エミッタ幅

w

 

55

 

μm

キャビティの長さ

L

 

1200

 

μm

チップ幅

W

 

250

 

μm

チップ高さ

H

 

150

 

μm

電気光学データ|Electro Optical Data

しきい電流

Ith

 

220

250

mA

動作電流

Iop

600

700

800

mA

動作電圧

Vop

 

2.3

2.6

V

スロープ効率

ηd=Po/(Iop - Ith)

 

1.0

 

mW/mA

総変換効率

η=Po/(Iop x Vop)

24

31

 

%

遅軸発散角④

θ∥

3

8

13

degrees

速軸発散角⑤

θ⊥

35

40

45

degrees

スペクトル幅⑤

△λ

 

1

1.5

nm

偏光

 

 

TM

 

 

波長の温度ドリフト係数

 

 

0.18

0.2

nm/℃

①. 上記の表では、CivilLasers のテストシステムに従って得られたテストデータの代表的な値を示しています。
②. TO56テストデータによると、TO56テスト温度は25℃です。
③. 最大値を超えて使用した場合、チップの寿命は保証されません。
④. エネルギーの95%をカバーしています。
⑤. FWHM (半値全幅)。

 

 
638nm TO56レーザーチップ

638nm TO56 レーザーチップ

638nm TO56 レーザーチップ

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