638nm 500mW CW レーザーチップ 638A-55-0.5-1.2-TO-A1 55μm エミッタ幅55μm TO56 パッケージ
[特徴]
高効率。
長寿命、高信頼性。
優れたビーム特性。
注意:
1. 納期:一部チップに在庫あり、在庫がない場合は2~3週間ほどお時間をいただきます。
2. 卸売価格: > 100 個注文、ご連絡ください、価格はより大きな割引。
3.原産国:中国製
[仕様]
パラメーター
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シンボル
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最小値
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典型的な①②
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最大値
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単位
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Operation
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中心波長
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λ
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633
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638
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643
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nm
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出力パワー
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Po
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500
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mW
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動作モード
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CW
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絶対最大定格|Absolute Maximum Ratings③
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動作温度
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To
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-10
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25
|
50
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℃
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チップサイズ|Chip Size
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エミッタ幅
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w
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|
55
|
|
μm
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キャビティの長さ
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L
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|
1200
|
|
μm
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チップ幅
|
W
|
|
250
|
|
μm
|
チップ高さ
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H
|
|
150
|
|
μm
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電気光学データ|Electro Optical Data
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しきい電流
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Ith
|
|
220
|
250
|
mA
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動作電流
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Iop
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600
|
700
|
800
|
mA
|
動作電圧
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Vop
|
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2.3
|
2.6
|
V
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スロープ効率
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ηd=Po/(Iop - Ith)
|
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1.0
|
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mW/mA
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総変換効率
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η=Po/(Iop x Vop)
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24
|
31
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|
%
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遅軸発散角④
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θ∥
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3
|
8
|
13
|
degrees
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速軸発散角⑤
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θ⊥
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35
|
40
|
45
|
degrees
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スペクトル幅⑤
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△λ
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1
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1.5
|
nm
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偏光
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TM
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波長の温度ドリフト係数
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0.18
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0.2
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nm/℃
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①. 上記の表では、CivilLasers のテストシステムに従って得られたテストデータの代表的な値を示しています。
②. TO56テストデータによると、TO56テスト温度は25℃です。
③. 最大値を超えて使用した場合、チップの寿命は保証されません。
④. エネルギーの95%をカバーしています。
⑤. FWHM (半値全幅)。
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