800nm~1700nm 200μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ

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800nm~1700nm 200μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ

[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
上部照明平面APD。
M = 30までの高ゲイン。
最大1.25GHZの高帯域幅。
ハーメチックTO46缶またはミニTO缶またはファイバーカップリング付き。

[用途]
超弱パルス光学検出
光学センサー、OTDR
レーザーライダー、レーザー距離測定
高解像度光干渉断層計
科学分析と実験

絶対値：

パラメータ 記号 値 単位
動作温度 Top -40～+85 ℃
保存温度 Tstg -45～+100 ℃
動作電圧 Vo 0.99×VBR V
順電流 If 8 mA
消費パワー   50 mW
はんだ付け温度（時間） Ts（10s） 260 ℃


光電子特性(T=22±3℃)

パラメータ 記号 試験条件 最小値 典型的な値 最大値 単位
スペクトル範囲 λ   800-1700 nm
アクティブ直径 φ   200 μm
応答性 Re λ=1.55μm, 1μw, M=1   0.9   A/W
λ=1.064μm, 1μw, M=1   0.65   A/W
乗算ゲイン M λ=1.55μm, 1μw, VBR-4V   10    
λ=1.064μm, 1μw, VBR-2V   20    
λ=1.064μm, 1μw, VBR-1V   30    
立ち上がり時間 Tr M=10,RL=50Ω   300   ps
-3dB帯域幅 BW M=10,RL=50Ω   1.25   GHz
暗電流 ID M=10   10 30 nA
総静電容量 Ctot M=10   2.4   pF
逆破壊電圧 VBR IR=10uA 35 43 55 V
最大瞬時入力パワー P M=10,1550nm,10ns,10KHZ     0.6 mW
動作電圧温度係数 δ Tc=-40℃～85℃   0.11 0.15 V/℃
パッケージ Hermetic TO46 Can or Mini TO Can or with fiber coupling.


注意：
（1）デフォルトはTO-46缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
（2）ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
（3）納期：我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。

 

800-1700nm APD

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