800nm~1700nm 2.5Gbps InGaAs プリアンプ付きAPD TO-46 パッケージ

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800nm~1700nm 2.5Gbps InGaAs プリアンプ付きAPD TO-46 パッケージ

シリーズInGaAs APD TIAモジュールには、高応答性InGaAs APDチップと、900nm〜1700nmの波長範囲にわたって高応答性と非常に高速な立ち上がりおよび立ち下がり時間を備えた高ゲイントランスペンデンスアンプが含まれています。 1550nmでのピーク応答性は、目に安全な距離測定アプリケーション、レーザーレーダー、光学センサー、自由空間光学に最適です。

[特徴]
1310nm / 1550nmの波長で高感度。
最大2.5Gbpsのデータレート。
低電圧電源:3.3Vおよび差動出力。
内蔵InGaAs APD + TIA。
ハーメチックTO-46缶またはファイバーカップリング付き。

[用途]
電気通信およびデータ通信
光学センサーとOTDR
高解像度光干渉断層計
産業用自動制御
科学分析と実験

絶対値:

パラメータ 記号 単位
動作温度 Top -40~+85
保存温度 Tstg -55~+85
APD動作電圧 Vo 0.99×VBR V
Amp 動作電圧   4 v
入力光パワー   -5 dBm
はんだ付け温度(時間) Ts(10s) 260


光電子特性(T=22±3℃)

パラメータ 記号 試験条件 最小値 典型的な値 最大値 単位
スペクトル範囲 λ   800-1700 nm
APD Reponsivity Re λ=1.55μm, 1μw, VR=VBR-3   10   A/W
小信号帯域幅(-3dB) BW VR=VBR-3   1.5   GHz
低周波カットオフ LF -3dB   20   KHZ
感度 S PRBS= 2^23 -1,BER=10^-10, 1310nm
ER=10dB@2.5Gbps, VR=VBR-3
  -32   dBm
出力インピーダンス Rout Differential output 80 100 140 Ω
APD逆ブレークダウン電圧 VBR ID=100μA 35   55 V
APD動作電圧 VAPD Best sensitivity   VBR-3   V
飽和光パワー Psat   -7     dBm
TIAの動作電圧 Vcc   3.0 3.3 3.6 V
TIAの動作電流 Icc   15 20 28 mA
トランスインピーダンス Zt     8  
動作電圧温度係数 δ Tc=-40~+80℃   0.12 0.15 V/℃
パッケージ Hermetic TO-46 Can with pre-amplifier and lens cap or with fiber coupling.


注意:
(1)デフォルトはTO-46缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
(2)ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
(3)納期:我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。

 

800-1700nm APD

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