400nm~1100nm 905nm Si 500um アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
上部照明平面APD。
M = 300までの高ゲイン。
波長400〜1100 nm。
ハーメチックTO46缶、レセプタクル付き、またはファイバーカップリング付き。
[用途]
超弱パルス光学検出
レーザーライダー、レーザー距離測定
光ファイバーセンサー、OTDR
高解像度光干渉断層計
科学分析と実験
絶対値：
| パラメータ |
記号 |
値 |
単位 |
| 動作温度 |
Top |
-45～+85 |
℃ |
| 保存温度 |
Tstg |
-45～+125 |
℃ |
| 順電流 |
If |
1 |
mA |
| 動作電圧 |
Vo |
0.95×VBR |
V |
| パワー散逸 |
Ip |
1 |
mW |
| はんだ付け温度（時間） |
Ts（10s） |
260 |
℃ |
光電子特性(T=22±3℃)
| パラメータ |
記号 |
試験条件 |
最小値 |
典型的な値 |
最大値 |
単位 |
| 応答スペクトル |
λ |
|
400～1100 |
nm |
| アクティブ直径 |
φ |
|
500 |
μm |
| 応答性 |
Re |
λ=905nm, 1μw, M=1 |
|
0.57 |
|
A/W |
| 乗算ゲイン |
M |
λ=905nm, 1μw, 0.8VBR |
|
60 |
|
|
| λ=905nm, 1μw, 0.85VBR |
|
100 |
|
|
| 反応時間 |
Tr |
M=100,RL=50Ω,λ=905nm |
|
0.5 |
|
ns |
| 暗電流 |
Id |
M=100 |
|
0.05 |
1.2 |
nA |
| 総静電容量 |
Ctot |
M=100,f=1MHz |
|
1.5 |
|
pF |
| 逆破壊電圧 |
VBR |
IR=10uA |
120 |
|
200 |
V |
| 最大瞬時入力 パワー |
P |
M=100,905nm,10ns,10KHZ |
|
|
0.3 |
mW |
| 動作電圧温度係数 |
δ |
Tc=-40℃～85℃ |
|
0.9 |
1.3 |
V/℃ |
| パッケージ |
Hermetic TO46 Can or with receptacle or with fiber coupling. |
注意：
（1）デフォルトはTO-46缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
（2）ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
（3）納期：我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。
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