ピーク応答@900nm 800μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
上部照明平面APD。
M = 300までの高ゲイン。
波長400〜1100 nm。
ハーメチックTO46缶、レセプタクル付き、またはファイバーカップリング付き。
[用途]
超弱パルス光学検出
レーザーライダー、レーザー距離測定
光ファイバーセンサー、OTDR
高解像度光干渉断層計
科学分析と実験
絶対値:
パラメータ |
記号 |
値 |
単位 |
動作温度 |
Top |
-45~+85 |
℃ |
保存温度 |
Tstg |
-45~+125 |
℃ |
順電流 |
If |
1 |
mA |
動作電圧 |
Vo |
0.95×VBR |
V |
パワー散逸 |
Ip |
1 |
mW |
はんだ付け温度(時間) |
Ts(10s) |
260 |
℃ |
光電子特性(T=22±3℃)
パラメータ |
記号 |
試験条件 |
最小値 |
典型的な値 |
最大値 |
単位 |
応答スペクトル |
λ |
— |
400~1100 |
nm |
アクティブ直径 |
φ |
— |
800 |
μm |
応答性 |
Re |
λ=905nm, 1μw, M=1 |
|
0.57 |
|
A/W |
乗算ゲイン |
M |
λ=905nm, 1μw, 0.8VBR |
|
60 |
|
|
λ=905nm, 1μw, 0.85VBR |
|
100 |
|
|
反応時間 |
Tr |
M=100,RL=50Ω,λ=905nm |
|
0.7 |
|
ns |
暗電流 |
Id |
M=100 |
|
0.7 |
2.0 |
nA |
総静電容量 |
Ctot |
M=100,f=1MHz |
|
2.1 |
|
pF |
逆破壊電圧 |
VBR |
IR=10uA |
120 |
|
200 |
V |
最大瞬時入力パワー |
P |
M=100,905nm,10ns,10KHZ |
|
|
0.45 |
mW |
動作電圧温度係数 |
δ |
Tc=-40℃~85℃ |
|
0.9 |
1.3 |
V/℃ |
パッケージ |
Hermetic TO46 Can or with receptacle or with fiber coupling |
注意:
(1)デフォルトはTO-46缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
(2)ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
(3)納期:我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。