400nm~1100nm 6mm シリコン PIN フォトダイオード TO8缶パッケージ

8,684円

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400nm~1100nm 6mm シリコン PIN フォトダイオード TO8缶パッケージ

[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
400-1100nmのスペクトル範囲。
405nmの応答性約0.2mA / mW
アクティブな直径6x6mm。
密閉TO8パッケージまたはレセプタクル付き。

[用途]
光学センサー
光学測定機器
産業用自動制御
IR /レーザー光モニタリング
蛍光検出器
医療機器
分光測光/ CTスキャン

絶対最大定格:

パラメータ 記号 単位
動作温度 Top -40~+85
保存温度 Tstg -45~+125
逆電圧 Vr 15 V
はんだ付け温度(時間) Ts(10s) 260


電気的および光学的特性:(T = 25℃)

パラメータ 記号 単位 典型的な値
アクティブ直径 Φ mm 6*6
スペクトル範囲 λ nm 400-1100
応答性 Re (VR=5V,λ=405nm ) mA/mW 0.10
Re (VR=5V,λ=650nm ) mA/mW 0.38
Re (VR=5V,λ=850nm ) mA/mW 0.55
Re (VR=5V,λ=1064nm ) mA/mW 0.20
暗電流 ID(0V) nA 0.05
ID(5V) nA 1.2
逆破壊電圧 VBR (IR=10uA) V 60
接合容量 Cj (f=1MHz, VR=0V) pF 3000
Cj (f=1MHz, VR=5V) pF 600
飽和光パワー Ps(VR=0V) mW 5
Ps(VR=5V) mW 25
動作電圧 VR V 0-10
シャント抵抗 Rsh (VR=10mV) 200
パッケージ Hermetic TO8 Can package or with receptacle.


注意:
(1)デフォルトはTO-8缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
(2)ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
(3)納期:我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。

 

400-1100nm フォトダイオード

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