400nm~1100nm 3.2mm Si PIN フォトダイオード TO5パッケージ ファイバーを結合できます

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400nm~1100nm 3.2mm Si PIN フォトダイオード TO5パッケージ ファイバーを結合できます

[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
400-1100nmのスペクトル範囲。
0.32mA / mWまでの1064nm応答性。
アクティブな直径3.2x3.2mm。
密閉TO5缶またはレセプタクル付き。

[用途]
光センサーと光パワーメーター
産業用自動制御
IR /レーザー光モニタリング
蛍光検出器
医療機器
分光測光/ CTスキャン

絶対最大定格:

パラメータ 記号 単位
動作温度 Top -40~+85
保存温度 Tstg -40~+100
順電流 If 16 mA
逆電圧 Vr 20 V
はんだ付け温度(時間) Ts(10s) 260


電気的および光学的特性:(T = 25℃)

パラメータ 記号 単位 典型的な値
アクティブ直径 Φ mm 3.2*3.2
スペクトル範囲 λ nm 400-1100
応答性 Re (VR=5V,λ=405nm ) mA/mW 0.03
Re (VR=5V,λ=650nm ) mA/mW 0.35
Re (VR=5V,λ=850nm ) mA/mW 0.55
Re (VR=5V,λ=1064nm ) mA/mW 0.32
反応時間 Tr (RL=50Ω,VR=5V) ns 6
暗電流 Id(VR=0V) pA 5
Id(VR=5V) pA 400
逆破壊電圧 VBR (IR=10uA) V 60
接合容量 Cj (f=1MHz, VR=0V) pF 110
Cj (f=1MHz, VR=5V) pF 25
飽和光パワー Ps(VR=5V) mW 25
動作電圧 VR V 0-15
シャント抵抗 Rsh (VR=10mV) 2
パッケージ Hermetic TO5 Can or with receptacle.


注意:
(1)デフォルトはTO-5缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
(2)ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
(3)納期:我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。

 

400-1100nm フォトダイオード

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