400nm~1100nm 2.5mm Si PIN フォトダイオード 低暗電流 TO5パッケージ
[特徴]
高い信頼性、低い暗電流。
400-1100nmのスペクトル範囲。
最大0.44mA / mWの1064nm応答性。
アクティブな直径2.5x2.5mm。
密閉TO5缶またはレセプタクル付き。
[用途]
光センサーと光パワーメーター
産業用自動制御
IR /レーザー光モニタリング
蛍光検出器
医療機器
分光測光/ CTスキャン
絶対最大定格：
| パラメータ |
記号 |
値 |
単位 |
| 動作温度 |
Top |
-40～+85 |
℃ |
| 保存温度 |
Tstg |
-40～+100 |
℃ |
| 順電流 |
If |
10 |
mA |
| 逆電圧 |
Vr |
30 |
V |
| はんだ付け温度（時間） |
Ts（10s） |
260 |
℃ |
電気的および光学的特性：（T = 25℃）
| パラメータ |
記号 |
単位 |
典型的な値 |
| アクティブ直径 |
Φ |
mm |
2.5*2.5 |
| スペクトル範囲 |
λ |
nm |
400-1100 |
| 応答性 |
Re (VR=5V,λ=405nm ) |
mA/mW |
0.07 |
| Re (VR=5V,λ=650nm ) |
mA/mW |
0.44 |
| Re (VR=5V,λ=850nm ) |
mA/mW |
0.59 |
| Re (VR=5V,λ=1064nm ) |
mA/mW |
0.25 |
| 反応時間 |
Tr (RL=50Ω,VR=5V) |
ns |
5 |
| 暗電流 |
Id(VR=0V) |
pA |
0.5 |
| Id(VR=5V) |
pA |
200 |
| 逆破壊電圧 |
VBR (IR=10uA) |
V |
70 |
| 接合容量 |
Cj (f=1MHz, VR=0V) |
pF |
90 |
| Cj (f=1MHz, VR=5V) |
pF |
20 |
| 飽和光パワー |
Ps(VR=5V) |
mW |
20 |
| 動作電圧 |
VR |
V |
0-15 |
| シャント抵抗 |
Rsh (VR=10mV) |
GΩ |
20 |
| パッケージ |
Hermetic TO5 Can or with receptacle. |
注意：
（1）デフォルトはTO-5缶パッケージです。他のモデルが必要な場合は、お問い合わせください。
（2）ご注文数量が10個未満または10個を超える場合は、販売価格が異なりますので、 お問い合わせください。
（3）納期：我々は一般的に使用されるPDの少量を持っています。 数量が多い場合は、再生産する必要があります。通常、1〜3週間で、モデルによって納期が異なります。
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