760nm 近赤外 半導体レーザー 1~2000mW 出力パワー調節可能 ダイオードレーザー

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760nm 近赤外 半導体レーザー 1~2000mW 出力パワー調節可能 ダイオードレーザー

760nm空間光路レーザは760nmレーザダイオードを用いて製造され、自由空間出力である。 レーザは、レーザの周囲温度要件を低減し、レーザ出力パワーの安定性を向上させる温度制御システムを有する。
The 760nm space optical path laser is fabricated with a 760nm laser diode and is free-space output. The laser has a temperature control system that reduces the ambient temperature requirements of the laser and improves the stability of the laser output power.

[仕様]
商品名:760nm 半導体レーザー
納期:1〜3週、利用できる注文製品
波長: 760±10nm
出力パワー:1~2000mW
光スポットモード:マルチモード
ビームサイズ:5 * 5 mm
ビーム発散角:<6mrad
出力安定性:2時間で3%未満
動作温度:0℃〜40℃
予熱時間:<5分
耐用年数:> 10000時間



760nm IR 半導体レーザー

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