商品画像 |
品名 |
価格- |
|
赤外線 300MW 850NM 半導体レーザー IR レーザーダイオード 【規格】 商品名: 300MW 850NM 半導体レーザー 輸出パワー:(CW)300mW 波長:850nm 操作電圧:2.1V 操作電流:500mA 直径:Φ9mm 操作温度:-10~40℃... |
20,119円
追加:
|
|
【商品名】 850NM 80MWの高い発電の半導体レーザー 【規格】 輸出パワー:(CW)80mw 波長:840~850nm 操作電圧:2.1V 操作電流:130mA 操作温度:-10~60℃ 貯蓄温度:-40~80℃... |
14,928円
追加:
|
|
【商品名】 100MW 850NM レーザーダイオード 【規格】 輸出パワー:(CW)100mw 波長:850nm 操作電圧:2.1V 操作電流:135mA 操作温度:-10~60℃ 貯蓄温度:-40~80℃ 密封形式:To-18(φ5.6mm)... |
14,766円
追加:
|
|
【商品名】 高い発電500MW 850NMの半導体レーザー 【規格】 輸出パワー:(CW)500mw 波長:850nm 操作電圧:2.0V 操作電流:650mA 操作温度:-10~50℃ 貯蓄温度:-40~75℃ 密封形式:To-5(φ9.0mm)... |
14,279円
追加:
|
|
850nm 500mw 半導体レーザー 赤外線 レーザーダイオード 【規格】 輸出パワー:<500mw 波長:850nm 操作電圧:<2V 800mA 直径:φ5.6 操作温度:-10~60°C 貯蓄温度: -40~85°C... |
7,316円
追加:
|
|
850nm 1000mw/1W 赤外線 レーザーダイオード T018(5.6mm) 【規格】 商品名: 850nm IR レーザーダイオード 発振波長[λp]: 850nm 光出力[Po]: 1000mW CW... |
6,976円
追加:
|
|
QSI 赤外線レーザーダイオード 850nm 200mW 不可視 レーザービーム QL85R6S TO-18 5.6mm QL85R6S-A/B/C is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well... |
6,048円
追加: 最小: 5
|
|
赤外線のLD 850nm 100mW TO 18 5.6mm 帯PD レーザーダイオード [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:850nm 出力パワー: 100mW 貯蔵温度:-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~60℃... |
5,915円
追加: 最小: 2
|
|
850nm 200mw 赤外線 レーザーダイオード RLD84PZJ2 T018 5.6mm with PD 【規格】 商品名|Product name: 850nm laser diode 波長|Output... |
5,296円
追加:
|
|
JDSU 高出力 近赤外 レーザーダイオード 850nm 1000mW LD TO18 5.6mm [仕様] ブランド:JDSU 波長:850nm 出力電力:1W CW レーザー逆電圧:2V PIN PD逆電圧:30V 動作温度:-10〜+ 50℃ 保管温度:-40〜+ 80℃... |
5,296円
追加: 最小: 2
|