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赤外線 300MW 850NM 半導体レーザー IR レーザーダイオード 【規格】 商品名： 300MW 850NM 半導体レーザー 輸出パワー：（CW）300mW 波長：850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：500mA 直径：Φ9mm 操作温度：-10～40℃... |
19,161円
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【商品名】 850NM 80MWの高い発電の半導体レーザー 【規格】 輸出パワー：（CW）80mw 波長：840～850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：130mA 操作温度：-10～60℃ 貯蓄温度：-40～80℃... |
14,217円
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【商品名】 100MW 850NM レーザーダイオード 【規格】 輸出パワー：（CW）100mw 波長：850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：135mA 操作温度：-10～60℃ 貯蓄温度：-40～80℃ 密封形式：To-18（φ5.6mm）... |
14,063円
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【商品名】 高い発電500MW 850NMの半導体レーザー 【規格】 輸出パワー：（CW）500mw 波長：850nm 操作電圧：2.0V 操作電流：650mA 操作温度：-10～50℃ 貯蓄温度：-40～75℃ 密封形式：To-5（φ9.0mm）... |
13,599円
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850nm 500mw 半導体レーザー 赤外線 レーザーダイオード 【規格】 輸出パワー：<500mw 波長：850nm 操作電圧：<2V 800mA 直径：φ5.6 操作温度：-10~60°C 貯蓄温度： -40~85°C... |
6,968円
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.jpg "850nm 1000mw/1W 赤外線 レーザーダイオード T018（5.6mm）") |
850nm 1000mw/1W 赤外線 レーザーダイオード T018（5.6mm） 【規格】 商品名: 850nm IR レーザーダイオード 発振波長[λp]: 850nm 光出力[Po]: 1000mW CW... |
6,644円
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.jpg "QSI 赤外線レーザーダイオード 850nm 200mW 不可視 レーザービーム QL85R6S TO-18 5.6mm") |
QSI 赤外線レーザーダイオード 850nm 200mW 不可視 レーザービーム QL85R6S TO-18 5.6mm QL85R6S-A/B/C is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well... |
5,760円
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最小: 5
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.jpg "赤外線のLD 850nm 100mW TO 18 5.6mm 帯PD レーザーダイオード") |
赤外線のLD 850nm 100mW TO 18 5.6mm 帯PD レーザーダイオード [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:850nm 出力パワー: 100mW 貯蔵温度：-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~60℃... |
5,633円
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最小: 2
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.jpg "850nm 200mw 赤外線 レーザーダイオード RLD84PZJ2 T018 5.6mm with PD") |
850nm 200mw 赤外線 レーザーダイオード RLD84PZJ2 T018 5.6mm with PD 【規格】 商品名|Product name: 850nm laser diode 波長|Output... |
5,044円
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.jpg "JDSU 高出力 近赤外 レーザーダイオード 850nm 1000mW LD TO18 5.6mm") |
JDSU 高出力 近赤外 レーザーダイオード 850nm 1000mW LD TO18 5.6mm [仕様] ブランド：JDSU 波長：850nm 出力電力：1W CW レーザー逆電圧：2V PIN PD逆電圧：30V 動作温度：-10〜+ 50℃ 保管温度：-40〜+ 80℃... |
5,044円
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最小: 2
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