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850nm レーザーダイオード

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商品画像	品名-	価格
	QSI 850nm 5mW レーザーダイオード IR レーザー QL85D6S TO-18 5.6mm QSI 850nm 5mW レーザーダイオード IR レーザー QL85D6S TO-18 5.6mm QL85D6SA is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure. It's an...	820円追加: 最小: 15
	赤外線のレーザーダイオードWith PD TO 18 5.6mm 850nm 10mW LD 赤外線のレーザーダイオードWith PD TO 18 5.6mm 850nm 10mW LD [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:850nm 出力パワー: 10mW 貯蔵温度：-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~60℃...	2120円追加: 最小: 2
	850nm 40mW 赤外線レーザーダイオード TO 18 5.6mm帯 PD 850nm 40mW 赤外線レーザーダイオード TO 18 5.6mm帯 PD [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:850nm 出力パワー: 40mW 貯蔵温度：-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~60℃ 動作電圧 : 2V...	3230円追加: 最小: 2
	850NM 80MWの高い発電の半導体レーザー【商品名】 850NM 80MWの高い発電の半導体レーザー【規格】輸出パワー：（CW）80mw 波長：840～850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：130mA 操作温度：-10～60℃ 貯蓄温度：-40～80℃...	10120円追加:
	100MW 850NM レーザーダイオード【商品名】 100MW 850NM レーザーダイオード【規格】輸出パワー：（CW）100mw 波長：850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：135mA 操作温度：-10～60℃ 貯蓄温度：-40～80℃ 密封形式：To-18（φ5.6mm）...	10010円追加:
	赤外線のLD 850nm 100mW TO 18 5.6mm 帯PD レーザーダイオード赤外線のLD 850nm 100mW TO 18 5.6mm 帯PD レーザーダイオード [特長] 全ての製品発送はの前にテストされました 1万時間以上の製品の寿命 [規格] 波長:850nm 出力パワー: 100mW 貯蔵温度：-40~85℃ 操作の場合温度 :-10~60℃...	4010円追加: 最小: 2
	850nm 200mw 赤外線レーザーダイオード RLD84PZJ2 T018 5.6mm with PD 850nm 200mw 赤外線レーザーダイオード RLD84PZJ2 T018 5.6mm with PD 【規格】商品名\|Product name: 850nm laser diode 波長\|Output...	3590円追加:
	QSI 赤外線レーザーダイオード 850nm 200mW 不可視レーザービーム QL85R6S TO-18 5.6mm QSI 赤外線レーザーダイオード 850nm 200mW 不可視レーザービーム QL85R6S TO-18 5.6mm QL85R6S-A/B/C is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well...	4100円追加: 最小: 3
	JDSU 850nm 300mW 赤外線レーザーダイオード TO18 5.6mm JDSU 850nm 300mW 赤外線レーザーダイオード TO18 5.6mm [仕様] ブランド：JDSU 波長：850nm 出力電力：300mW CW レーザー逆電圧：2V PIN PD逆電圧：30V 動作温度：-10〜+ 40℃ 保管温度：-40〜+ 80℃...	2460円追加: 最小: 3
	赤外線 300MW 850NM 半導体レーザー送料無料【商品名】 300MW 850NM 半導体レーザー【規格】輸出パワー：（CW）300mw 波長：850nm 操作電圧：2.1V 操作電流：500mA 直径：Φ9mm 操作温度：-10～40℃ 貯蓄温度：-40～80℃...	13640円追加:

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