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650nm 3mW FP シングルモード同軸 レーザーダイオード

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最小:  5 		650nm 3mW FP シングルモード同軸 レーザーダイオード
9,854円  3,805円
割引: 61%OFF


650nm 3mW FP シングルモード同軸 レーザーダイオード [特徴] MQW F-P LD シングルモード 内蔵モニターPD 金属は密閉をタイプできます 低しきい値/動作電流 高い信頼性 [用途] 光センシング 産業用自動制御 科学分析と実験 テストおよび測定機器 レーザー距離計...
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800nm~1700nm 50μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ

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最小:  2 		800nm~1700nm 50μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ
6,074円


800nm~1700nm 50μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 800-1700nmの波長範囲。 M = 30までの高ゲイン。 最大2.5GHZの高帯域幅。 密閉TO46缶またはファイバーカップリング付き。...
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800nm~1700nm 200μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ

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800nm~1700nm 200μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ
21,688円


800nm~1700nm 200μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO-46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 上部照明平面APD。 M = 30までの高ゲイン。 最大1.25GHZの高帯域幅。...
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800nm~1700nm 2.5Gbps InGaAs プリアンプ付きAPD TO-46 パッケージ

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最小:  2 		800nm~1700nm 2.5Gbps InGaAs プリアンプ付きAPD TO-46 パッケージ
9,259円


800nm~1700nm 2.5Gbps InGaAs プリアンプ付きAPD TO-46 パッケージ シリーズInGaAs APD TIAモジュールには、高応答性InGaAs...
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800nm~1700nm 500μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ

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 800nm~1700nm 500μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
41,733円


800nm~1700nm 500μm InGaAs M=30 アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 上部照明平面APD。 M = 300までの高ゲイン。 0.3GHZまでの高帯域幅...
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First Sensor 高速 Si  APD 400nm〜1100nm アンプアバランシェフォトダイオード

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 First Sensor 高速 Si  APD 400nm〜1100nm アンプアバランシェフォトダイオード
60,712円


First Sensor 高速 Si  APD 400nm〜1100nm アンプアバランシェフォトダイオード...
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400nm~1100nm 905nm Si 500um アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ

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最小:  2 		400nm~1100nm 905nm Si 500um アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
5,762円


400nm~1100nm 905nm Si 500um アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 上部照明平面APD。 M = 300までの高ゲイン。 波長400〜1100 nm。...
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ピーク応答@900nm 800μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ

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 ピーク応答@900nm 800μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
12,395円


ピーク応答@900nm 800μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 上部照明平面APD。 M = 300までの高ゲイン。 波長400〜1100 nm。 ハーメチックTO46缶、レセプタクル付き、またはファイバーカップリング付き。...
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APD ピーク応答@900nm 500μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ

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最小:  2 		APD ピーク応答@900nm 500μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ
5,499円


APD ピーク応答@905nm 500μm Si アバランシェフォトダイオード TO46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 500umアクティブエリアのAPD。 乗算曲線が遅い。 QE> 80％@ 750 nm-910 nm。...
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800nm~3600nm 300μm InGaAs PIN フォトダイオード TO46 パッケージ

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800nm~3600nm 300μm InGaAs PIN フォトダイオード TO46 パッケージ
68,296円


800nm~3600nm 300μm InGaAs PIN フォトダイオード TO46 パッケージ [特徴] 高い信頼性、低い暗電流。 800-3600nmのスペクトル範囲。 アクティブ直径0.3mm。 ハーメチックパッケージTO46缶、レセプタクル付き、またはファイバーカップリング付き。...
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