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850nm 500mw 半導体レーザー 赤外線 レーザーダイオード
【規格】 輸出パワー:<500mw 波長:850nm 操作電圧:<2V 800mA 直径:φ5.6 操作温度:-10~60°C 貯蓄温度: -40~85°C 密封形式:TO-18 作動寿命(MTTF): >10000Hrs
850nm 40mW 赤外線レーザーダイオード TO 18 5.6mm帯 PD4,537円
850NM 80MWの高い発電の半導体レーザー14,217円
Union 850nm 300mW 赤外 レーザーダイオード U-LD-85C061Ap/Bp TO-18 5.6mm パッケージ3,538円
QSI QL84S6SL 850nm 450mW 赤外線 レーザーダイオード TO18 Φ5.6mm3,650円
Union U-LD-851061Ap 850nm 10mW IR レーザーダイオード TO-18 パッケージ1,048円
高い発電500MW 850NMの半導体レーザー13,599円
850nm 500mw 半導体レーザー 赤外線 レーザーダイオード JDSU6,968円
QSI 850nm 200mW レーザーダイオード QL85R63X LD IR CWレーザー TO-CAN Φ3.3mm3,596円
Union IR 赤外 レーザーダイオード 850nm 200mW レーザー U-LD-85B061Ap TO-18 パッケージ3,538円
Union 850nm 500mW 赤外 レーザーダイオード U-LD-85E061Ap TO18パッケージ4,726円
赤外線の レーザーダイオードWith PD TO 18 5.6mm 850nm 10mW LD2,979円
850nm 30mW 赤外線レーザーダイオード QSI QL85I6SX IR LD TO18 Φ5.6mm1,674円