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QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用
[仕様] 製品名|Product Name: レーザーダイオード モデル|Model: QL80S4HD-Y 波長|Wavelength: 808nm 出力パワー|Output Power: 500mW レーザーダイオード逆電圧|Laser Diode Reverse Voltage: 2V フォトダイオード逆電圧|Photo Diode Reverse Voltage: 30V しきい値電流|Threshold Curren: 100mA 動作電流|Operating Current: 550mA 動作電圧|Operating Voltage: 2.2V 動作温度|Operating Temperature: -10~+40℃ 保管温度|Storage Temperature: -40~+85℃ パッケージ|Package: TO18 (Φ5.6mm)
シングルエミッタ LDチップ COS 808nm 10W CWレーザー 808B-190-10-4-COS Made in China5,611円
808nm 2W 3W 5W 高出力 赤外線 レーザーダイオード C-mount パッケージ13,908円
808nm 5W SE CW COS レーザーチップ 96μmエミッタ幅 4MMキャビティの長さ 808B-96-5-4-COS5,274円
JDSU 808nm 50mW 赤外線 シングルモード レーザーダイオード 軍用機 Lidar LD5,254円
U-LD-80J051Ap/Dp 808nm 1000mW 高出力 NIR レーザーダイオード Φ9mm パッケージ3,563円
QSI 808nm 1000mW レーザーモジュールダイオード QL80T4HD-Y 高出力 IR LD TO-5 9mm5,058円
QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW 赤外線レーザーダイオード レーザーセンサー用3,512円
808nm 500mWの実験室の半導体レーザー7,542円
U-LD-80C051Ap 808nm 300mW 赤外線レーザーダイオード Union LD TO-5.6mm パッケージ3,577円
QSI 赤外線 レーザーダイオード 808nm 200mW QL80R4S IR レーザーモジュールダイオード TO-18 5.6mm3,793円
808nm 10W SE シングルエミッタ ダイオードレーザー CW COS レーザーチップ 808B-350-10-2.5-COS5,274円
1000MW 808NM レーザーダイオード /半導体レーザー6,953円
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